GE Fanuc DS200SHVMG1AED Yüksək Gərginlikli M-Çərçivə İnterfeys lövhəsi

GE DS200SHVMG1AED General Electric (GE) tərəfindən Mark V seriyalı idarəetmə sistemləri üçün nəzərdə tutulmuş Yüksək Gərginlikli M-Frame İnterfeys lövhəsidir.

Əsas xüsusiyyətlər və tətbiqlər:
Funksiya: M-çərçivə sürücüsündən olan SCR körpüsü (Silikon İdarə olunan Düzəldici) və DC Filtr lövhəsində (DCFB) və ya Statik Boşaltma Kondansatör lövhəsində (SDCI) və ya Enerji Bağlantı Kartında olan enerji təchizatı arasında interfeys rolunu oynayır. (PCCA).
Siqnalın işlənməsi: DS200SHVMG1AED gərginliklə idarə olunan osilator (VCO) dövrələrində [axcontrol.com] DC müsbət və mənfi üzən şuntlardan istifadə edərək -500 mV ilə 500 mV arasında dəyişən şunt siqnallarını 0 ilə 500 kHz arasında diferensial tezlik çıxışlarına çevirir.
Tətbiqlər: Bu interfeys lövhəsi çox güman ki, GE Mark V idarəetmə sistemlərinin enerji istehsalı, böyük mühərriklər və oxşar sənaye parametrləri kimi yüksək gərginlikli sürücüləri və həyəcanvericiləri idarə etdiyi sənaye proqramlarında istifadə olunur.

Əlavə təfərrüatlar:
İstehsalçı: General Electric (GE)
Seriya: Mark V DS200
Konfiqurasiya edilə bilən keçidlərin sayı: 17
Təlimat kitabçası: GEI-100174

Digər Məhsullarımıza Daxildir